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依托頂尖的8英寸壓電氮化鋁(AlN)平臺(tái),經(jīng)過(guò)5年持續(xù)投入,開(kāi)發(fā)出全球首款壓電聲壓梯度式超聲MEMS芯片。
MEMS芯片 M-01-010性能指標(biāo)
參數(shù)
1MHz芯片
工作原理
壓電氮化鋁
靜態(tài)電容
330pF
擊穿電壓
>100VDC
諧振阻抗
240 Ω
當(dāng)前芯片尺寸
3.5mmx3.5mm
最大工作耐壓
3MPa
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