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依托頂尖的8英寸壓電氮化鋁(AlN)平臺(tái),經(jīng)過5年持續(xù)投入,開發(fā)的壓電聲壓梯度式超聲芯片。
MEMS芯片 M-01-005性能指標(biāo)
參數(shù)
500kHz 芯片
工作原理
壓電氮化鋁
靜態(tài)電容
250pF
擊穿電壓
>100VDC
諧振阻抗
2000Ω
當(dāng)前芯片尺寸
2.5mmx2.5mm
最大工作耐壓
2MPa
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